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Samsung avvia la produzione di massa della prima memoria flash eUFS da 1 TB

Samsung ha annunciato di aver iniziato la produzione in serie del primo flash storage da 1TB per i dispositivi mobili di prossima generazione e utilizza 16 strati sovrapposti di chip V-NAND da 512 gigabit (Gb). Utilizza lo stesso package da 11,5 mm x 13,0 mm della precedente versione da 512 GB , ma utilizza un controller proprietario appena sviluppato. Ciò consentirà agli utenti di archiviare 260 video di 10 minuti in formato 4K UHD (3840 × 2160), rispetto a 13 video della stessa dimensione in eUFS da 64 GB.

L’eUFS da 1 TB offre fino a 1.000 megabyte al secondo (MB / s), offre fino a 58.000 velocità di lettura casuale IOPS, fino al 38 percento rispetto alla versione da 512 GB e le scritture casuali fino a 50.000 IOPS sono 500 volte più veloci di scheda microSD ad alte prestazioni (100 IOPS).

Samsung ha annunciato che prevede di espandere la produzione della V-NAND 512 Gb di quinta generazione nello stabilimento di Pyeongtaek in Corea durante la prima metà del 2019 per portare gli smartphone eUFS da 1TB. Il Samsung Galaxy Note9 dello scorso anno è stato introdotto per la prima volta nella versione da 512GB, farà il suo debutto con il Galaxy S10 + il prossimo mese?

Samsung ha anche elencato il suo percorso da eMMC 4.5 con velocità di lettura di 140 MB / s a ​​1 TB eUFS 2.1 che offre una velocità di 1000 MB / s.

MemoriaVelocità di letturasequenzialeVelocità di scritturasequenzialeVelocità di letturacasualeVelocità di scritturacasuale
Samsung
1 TB eUFS 2.1
(gennaio 2019)
1000 MB / s260 MB / s58.000 IOPS50.000 IOPS
Samsung
512GB eUFS 2.1
(nov. 2017)
860 MB / s255 MB / s42.000 IOPS40.000 IOPS
Samsung
eUFS 2.1 per automotive
(settembre 2017)
850 MB / s150 MB / s45.000 IOPS32.000 IOPS
Scheda UFS Samsung da 256 GB (luglio 2016)530 MB / s170 MB / s40.000 IOPS35.000 IOPS
Samsung
256GB eUFS 2.0 (febbraio 2016)
850 MB / s260 MB / s45.000 IOPS40.000 IOPS
Samsung
128GB eUFS 2.0 (gennaio 2015)
350 MB / s150 MB / s19.000 IOPS14.000 IOPS
eMMC 5.1250 MB / s125 MB / s11.000 IOPS13.000 IOPS
eMMC 5.0250 MB / s90 MB / s7.000 IOPS13.000 IOPS
eMMC 4.5140 MB / s50 MB / s7.000 IOPS2.000 IOPS

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