Samsung avvia la produzione di massa della prima memoria flash eUFS da 1 TB

Samsung ha annunciato di aver iniziato la produzione in serie del primo flash storage da 1TB per i dispositivi mobili di prossima generazione e utilizza 16 strati sovrapposti di chip V-NAND da 512 gigabit (Gb). Utilizza lo stesso package da 11,5 mm x 13,0 mm della precedente versione da 512 GB , ma utilizza un controller proprietario appena sviluppato. Ciò consentirà agli utenti di archiviare 260 video di 10 minuti in formato 4K UHD (3840 × 2160), rispetto a 13 video della stessa dimensione in eUFS da 64 GB.

L’eUFS da 1 TB offre fino a 1.000 megabyte al secondo (MB / s), offre fino a 58.000 velocità di lettura casuale IOPS, fino al 38 percento rispetto alla versione da 512 GB e le scritture casuali fino a 50.000 IOPS sono 500 volte più veloci di scheda microSD ad alte prestazioni (100 IOPS).

Samsung ha annunciato che prevede di espandere la produzione della V-NAND 512 Gb di quinta generazione nello stabilimento di Pyeongtaek in Corea durante la prima metà del 2019 per portare gli smartphone eUFS da 1TB. Il Samsung Galaxy Note9 dello scorso anno è stato introdotto per la prima volta nella versione da 512GB, farà il suo debutto con il Galaxy S10 + il prossimo mese?

Samsung ha anche elencato il suo percorso da eMMC 4.5 con velocità di lettura di 140 MB / s a ​​1 TB eUFS 2.1 che offre una velocità di 1000 MB / s.